一种SiC IGBT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010994010.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112216694A | 公开（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申请公布号 | CN112216694A | 申请公布日 | 2021-01-12 |
| 分类号 | H01L27/06;H01L29/739;H01L21/82;H01L23/48 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪炜江 | 申请（专利权）人 | 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 北京邦创至诚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宇锋 |
| 地址 | 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼104-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种SiC IGBT器件及其制备方法。本发明提供的SiC IGBT器件通过在器件的表面设置肖特基二极管结构，并且在器件背面形成交替设置的N+区与P+区，使器件在进行续流工作时，正面的MPS二极管（嵌入pn结构的肖特基二极管）的电流将通过N+区形成导电通路，从而实现集成续流二极管的功能。 |
