一种结型场效应晶体管器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011245808.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112289855A | 公开（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申请公布号 | CN112289855A | 申请公布日 | 2021-01-29 |
| 分类号 | H01L29/45;H01L29/80;H01L21/335;H01L29/16;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪炜江 | 申请（专利权）人 | 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟雪 |
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种结型场效应晶体管器件，所述器件包括：Ⅰ－导电型漂移层；Ⅱ+导电型区，形成于Ⅰ－导电型漂移层内，中间位置的Ⅱ+导电型区的深度低于两侧的Ⅱ+导电型区；栅极欧姆接触区，形成于中间位置的Ⅱ+导电型区上，源极欧姆接触区，形成于两侧的Ⅱ+导电型区上；在Ⅰ－导电型为n－导电型时，Ⅱ+导电型即为p+导电型，在Ⅰ－导电型为p－导电型时，Ⅱ+导电型即为n+导电型。器件的栅极位于相邻的两个源极之间，并且栅极的Ⅱ+导电型区比源极的Ⅱ+导电型区更浅，使得器件的雪崩发生在源极的Ⅱ+导电型区。雪崩电流直接通过源极而不经过栅极，保护了栅极驱动电路。同时器件为平面结构，制作简单。 |
