MOSFET晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202022128933.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213459746U | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN213459746U | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 倪炜江 | 申请（专利权）人 | 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 | 代理人 | 崔建锋 |
| 地址 | 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种MOSFET晶体管，MOSFET晶体管包括：衬底；缓冲层；漂移区；掺杂基区；帽层；多个沟槽；多个沟槽自帽层一侧向衬底一侧延伸，并延伸至漂移区内；多个重掺杂区，重掺杂区位于漂移区内且位于沟槽的底部，第一金属层，第一金属层覆盖部分台面、沟槽的部分底部以及和部分底部相连的侧壁；栅介质层以及栅极；第一电极和第二电极；MOSFET晶体管中具有第一原胞区和第二原胞区。由此，通过设置沟槽、第一原胞区和第二原胞区，实现了重掺杂区对沟槽栅的电场屏蔽，实现了掺杂基区与第二电极的电连接，同时也反并联了肖特基二极管，在不影响原胞尺寸的基础上，可以降低MOSFET晶体管的制备难度，可以降低MOSFET晶体管的生产成本，还可以降低MOSFET晶体管导通电阻。 |
