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粉石英矿加工立方碳化硅晶须的方法

基本信息

申请号 CN201610607230.3 申请日 -
公开（公告）号 CN106087061B 公开（公告）日 2018-05-22
申请公布号 CN106087061B 申请公布日 2018-05-22
分类号 C30B29/36;C30B29/62;C30B1/02 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 刘少林;李志文;吴恩宁;黄荣权;易新林 申请（专利权）人 武汉拓普准晶新材料有限公司
代理机构 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 代理人 李志文;武汉拓普准晶新材料有限公司
地址 341000 江西省赣州市信丰县明阳北路建设小区26号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及粉石英矿加工立方碳化硅晶须的方法，包括：将粉石英矿与水混合，并调节pH值到7.8～8.3，然后加入分散剂，沉淀，过滤，取滤出液；将滤出液离心分离，以得到离心液；将离心液烘干以得到粉石英精矿，向粉石英精矿中加入碳粉，进行微波碳化处理后冷却至室温，以得到立方碳化硅微粉；将立方碳化硅微粉放入中频感应加热炉中，加热至1800℃～2000℃，反应6h～10h，以制得立方碳化硅晶须。根据本发明的粉石英矿加工立方碳化硅晶须的方法，反应完全，杂质含量大大减少，立方碳化硅的产率和纯度都有大幅度的提高，同时加工方法简单，利于大规模制备立方碳化硅。