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一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置

基本信息

申请号 CN202010910109.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112069759A 公开（公告）日 2020-12-11
申请公布号 CN112069759A 申请公布日 2020-12-11
分类号 G06F30/367(2020.01)I 分类 计算；推算；计数;
发明人 唐瑜 申请（专利权）人 苏州英嘉通半导体有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 苏州英嘉通半导体有限公司
地址 215000江苏省苏州市相城区青龙港路66号领寓商务广场706室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例公开了一种基于Angelov模型的GaN晶体管建模方法及其装置，通过获取向GaN晶体管的漏极施加的漏极电压、向GaN晶体管的栅极施加的栅极电压、以及各漏极电压下与不同栅极电压一一对应的电流测量值；根据漏极电压、栅极电压和所述电流测量值，获取各漏极电压下的实际跨导曲线；基于GaN晶体管的Angelov模型，获取各漏极电压下的拟合跨导曲线；根据各漏极电压下的实际跨导曲线与拟合跨导曲线的差值，建立表格基模型；根据GaN晶体管的Anglov模型与表格基模型，建立GaN晶体管的仿真模型。本发明实施例能够提高电路设计的效率和准确性。