基于栅极保护的半导体电路及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202021938516.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212725306U | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN212725306U | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋胜;柳永胜;胡峰;白强;唐瑜;陈辉;于洁 | 申请（专利权）人 | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州三英知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周仁青 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种基于栅极保护的半导体电路及半导体器件，所述半导体电路包括集成设置的增强型功率器件及增强型器件，所述增强型功率器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，且所述第一栅极与第二源极电性连接，第一漏极作为半导体电路的漏极，第一源极作为半导体电路的源极，第二漏极作为半导体电路的栅极，第二栅极作为半导体电路的保护电极。本实用新型通过在增强型功率器件的栅极集成另一个增强型器件，实现对功率器件的栅极保护；相比于现有的栅极保护技术，本实用新型在免除了外接齐纳二极管的需要的同时，也去除了对耗尽型器件的依赖。 |
