基于栅极保护的级联电路及级联器件
基本信息
| 申请号 | CN202011265289.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382631A | 公开（公告）日 | 2021-02-19 |
| 申请公布号 | CN112382631A | 申请公布日 | 2021-02-19 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋胜;柳永胜;胡峰;白强;唐瑜;陈辉;于洁;郑梦婕 | 申请（专利权）人 | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州三英知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周仁青 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种基于栅极保护的级联电路及级联器件，所述级联电路包括高压耗尽型器件、低压增强型器件及低压耗尽型器件，所述高压耗尽型器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，低压增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，低压耗尽型器件包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第一源极与第二漏极电性连接，第一栅极与第二源极电性连接，第二栅极与第三源极和第三栅极电性连接，第一漏极作为级联电路的漏极，第二源极作为级联电路的源极，第三漏极作为级联电路的栅极。本发明能够大幅降低传统增强型器件的等效米勒电容，即使在栅极驱动电流因栅极保护单元而严重受限的情况下，仍然能够使器件满足实际应用中对器件开关速度的需求。 |
