暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法
基本信息
| 申请号 | CN202111237524.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113675083B | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN113675083B | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L21/311（2006.01）I;H01L21/3213（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B33/10（2006.01）I;G01N23/04（2018.01）I;G01N23/207（2006.01）I;G01N23/2251（2018.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 白红梅;郑朝晖 | 申请（专利权）人 | 江山季丰电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 刘建荣 |
| 地址 | 324199浙江省衢州市江山市文教西路15号科技孵化中心5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种暴露绝缘体上硅器件有源区的方法、应用和失效分析方法，涉及有源区失效分析技术领域。该暴露绝缘体上硅器件有源区的方法，针对有源区下方深埋有氧化层的这种具有特定结构的绝缘体上硅器件，先去除金属层之后采用特定组成的第一腐蚀液于特定时间内去除多晶硅层，然后将接触孔层去除，最后再将氮化硅层和绝缘氧化硅层去除，从而使得有源区完全暴露。上述方法避免了采用现有去层方法导致深埋氧化层与硅衬底产生分离的问题，打破了目前绝缘体上硅器件无法去层至有源区的空白，使得有源区可以完全且完好的暴露，对后续于有源区的失效分析提供了前提条件。本发明还提供了上述暴露绝缘体上硅器件有源区的方法的应用和失效分析方法。 |
