苯并噻吩类衍生物及其在有机电致发光领域中的应用
基本信息

| 申请号 | CN201210375135.7 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN103709153B | 公开(公告)日 | 2019-01-29 |
| 申请公布号 | CN103709153B | 申请公布日 | 2019-01-29 |
| 分类号 | C07D409/14;C07D333/58;C07D333/74;C07D333/76;C07D333/62;C07D333/66;H01L51/54 | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 邱勇;范洪涛;王星;段炼;任雪艳 | 申请(专利权)人 | 昆山维信诺显示技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明涉及一类如式(I)所示的化合物,其中:R1、R2独立地选自C4~C30的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、C4~C40的取代或非取代的苯并噻吩基团、C4~C40的取代或者非取代苯并呋喃基团的其中之一;L为桥联基团,选自单键、C4~C40的取代芳胺、C4~C40的取代咔唑、C4~C40的取代苯并噻吩、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一;R3‑R10独立地选自H原子、C1‑C20的脂肪族直链或支链烃基或C6‑C30的芳香族基团,或者,相邻两个基团连接成环,形成萘并噻吩衍生物;m、n选自0‑3的整数,但m加n大于0且小于等于3。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用,尤其是作为OLED器件中的空穴传输材料或空穴注入材料。 |





