掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及生长方法和装置
基本信息
| 申请号 | CN201711212015.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108004595B | 公开（公告）日 | 2019-10-25 |
| 申请公布号 | CN108004595B | 申请公布日 | 2019-10-25 |
| 分类号 | C30B29/28（2006.01）I; C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 李洪峰; 李兴旺; 莫小刚; 王永国; 王军杰; 杨国利; 杜秀红; 韩剑锋; 毕海 | 申请（专利权）人 | 长汀雷生科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 北京雷生强式科技有限责任公司 |
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号11所南门 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及其生长方法和装置，属于激光材料领域。该掺杂钇铝石榴石激光晶体掺杂有钐离子，以及用于使所述掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收峰蓝移的掺杂离子。通过向其中掺杂钐离子和掺杂离子，来使其吸收峰蓝移，即使其吸收光谱发生蓝移，如此可提高该掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收光谱与Nd:YAG激光晶体的发射光谱的重合度，使得掺杂钇铝石榴石激光晶体对Nd3+离子在YAG晶体中的1064.15nm发射主峰的吸收系数较高，进而提高对Nd:YAG激光晶体寄生振荡的抑制效率。 |
