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准单晶硅的制备炉

基本信息

申请号 CN201320087543.2 申请日 -
公开（公告）号 CN203096227U 公开（公告）日 2013-07-31
申请公布号 CN203096227U 申请公布日 2013-07-31
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 薛斌;奇向东;薛婷;龙晓红 申请（专利权）人 宏大中源太阳能股份有限公司
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 代理人 郑立明;赵镇勇
地址 017000 内蒙古自治区鄂尔多斯市东胜区铁西金烽煤炭大厦八楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种准单晶硅的制备炉，属于单晶硅制备领域。该制备炉包括：炉体、夹持机构、支撑杆、冷却管路、坩埚、石墨块、升降机构、加热装置和保温壁；其中，坩埚设置在炉体内的底部，坩埚底部通过石墨块设置在伸出至炉体外的所述升降机构上；坩埚外周设置加热装置，加热装置与炉体内壁之间设置保温壁；夹持机构通过支撑杆设置在坩埚上方的炉体内，夹持机构与伸出至炉体外的冷却管路连接。该制备炉的炉体设计简单，不需要像提拉法生长所需的旋转机构即可实现超大体积、准单晶的制备，其成本低、能耗小、生长质量高，有利于太阳能电池生产成本降低，对于降低太阳能电池片生产成本和提高太阳能电池片效率具有重要意义。