聚二甲基硅氧烷薄膜、柔性电容传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910936969.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110763256B | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN110763256B | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | G01D5/24 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 吴豪;魏丹阳 | 申请（专利权）人 | 广东思谷智能技术有限公司 |
| 代理机构 | 东莞卓为知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 齐海迪 |
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区礼宾路4号松科苑19号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于柔性传感器领域，并公开了聚二甲基硅氧烷薄膜、柔性电容传感器及其制备方法，该传感器包括上电极层、中间电介质层和下电极层，上和下电极层结构相同，均包括柔性基体材料和镶嵌在基体材料中的液态金属；中间电介质层介于上和下电极层之间，其中具有多层阶梯介孔微结构，同无该介质层的柔性电容传感器相比，改善了柔性电容传感器的线性度；当传感器受到压力或被导体靠近时，通过测量传感器电容的变化获得该传感器受到的压力或导体与传感器之间的距离的大小。本发明还公开了该传感器的制备方法。通过本发明，设计出基于液态金属电极及多层阶梯介孔微结构的电介质层的柔性电容式传感器，实现柔性传感器的高灵敏度。 |
