一种提高热释电单晶芯片性能的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011554094.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114659644A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN114659644A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | G01J5/35（2022.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 陈建伟;朱荣峰;罗豪甦;焦杰;赵静;王西安;徐海清;林迪;朱莉莉;狄文宁;梁柱;鲁丽 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种提高热释电单晶芯片性能的方法，包括：（1）将热释电单晶芯片进行第一次退火处理；（2）将第一次退火处理后的热释电单晶芯片在低频、弱电场下进行交流电场老化处理、第二次退火处理和直流极化处理，以提高热释电单晶芯片性能。 |
