一种基于熔渗预制体孔隙结构调控的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011593367.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114685179A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114685179A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C04B38/06（2006.01）I;C04B35/80（2006.01）I;C04B35/565（2006.01）I;C04B35/622（2006.01）I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 陈小武;张俊敏;董绍明;张翔宇;杨金山;阚艳梅;胡建宝;廖春景 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于熔渗预制体孔隙结构调控的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括：（1）将纤维布浸渍于碳化硅浆料中并取出，得到纤维浸渍片后再经裁剪、烘干、加压固化和第一次热解处理，得到预成型体；（2）将有机树脂、造孔剂和溶剂混合后，得到造孔浆料；（3）将所得预成型体真空浸渍在造孔浆料中并取出，再经固化和第二次热解处理，得到熔渗预制体；（4）采用硅粉或/和硅合金粉包埋所得熔渗预制体，经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。 |
