一种陶瓷衬底图形化结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110574541.5 申请日 -
公开(公告)号 CN113488446A 公开(公告)日 2021-10-08
申请公布号 CN113488446A 申请公布日 2021-10-08
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱德权;徐荣军;黄世东;季玮;王海龙 申请(专利权)人 浙江德汇电子陶瓷有限公司
代理机构 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 代理人 廖银洪
地址 312000浙江省绍兴市越城区平江路2号绍兴水木湾区科学园3号楼8层801
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于功率半导体生产技术领域,尤其为一种陶瓷衬底图形化结构及其制造方法,所述陶瓷衬底图形化结构包括陶瓷基板、结合层、焊料层和铜铂,所述结合层、焊料层和铜铂层由内而外依次贴合于陶瓷基板的上下表面,所述陶瓷基板、结合层、焊料层和铜铂通过活性钎焊法制造而成的覆铜陶瓷衬底,采用曝光与显影的方式,通过蚀刻液对覆铜陶瓷衬底进行蚀刻,形成陶瓷衬底的图形化结构,所述陶瓷基板为氮化物陶瓷或氧化物陶瓷。本发明能够实现陶瓷覆铜板图形化,经化学抛光处理除去不需的铜层及降低铜表面粗糙度,具有使用周期长,稳定性好,蚀刻充分,且蚀刻液中不含磷,产品铜表面状态好的优点。