一种陶瓷衬底图形化结构及其制造方法
基本信息
申请号 | CN202110574537.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113314473A | 公开(公告)日 | 2021-08-27 |
申请公布号 | CN113314473A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
分类号 | H01L23/14(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/18(2006.01)I;C23F1/34(2006.01)I;C23F3/06(2006.01)I;C04B37/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 朱德权;徐荣军;黄世东;季玮;王海龙 | 申请(专利权)人 | 浙江德汇电子陶瓷有限公司 |
代理机构 | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 廖银洪 |
地址 | 312000浙江省绍兴市越城区平江路2号绍兴水木湾区科学园3号楼8层801 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于功率半导体生产技术领域,尤其为一种陶瓷衬底图形化结构及其制造方法,所述陶瓷衬底图形化结构包括陶瓷基板、结合层、焊料层和铜铂,所述结合层、焊料层和铜铂层由内而外依次贴合于陶瓷基板的上下表面,所述陶瓷基板、结合层、焊料层和铜铂通过活性钎焊法制造而成的覆铜陶瓷衬底,采用曝光与显影的方式,通过蚀刻液对覆铜陶瓷衬底进行蚀刻,形成陶瓷衬底的图形化结构,所述陶瓷基板为氮化物陶瓷或氧化物陶瓷。本发明能够实现陶瓷覆铜板图形化,经化学抛光处理除去不需的铜层及降低铜表面粗糙度,具有使用周期长,稳定性好,蚀刻充分,且蚀刻液中不含磷,产品铜表面状态好的优点。 |
