一种能够迅速冷却的SiC生长坩埚平台
基本信息
| 申请号 | CN201620383916.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205711034U | 公开（公告）日 | 2016-11-23 |
| 申请公布号 | CN205711034U | 申请公布日 | 2016-11-23 |
| 分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 宗艳民 | 申请（专利权）人 | 中信银行股份有限公司济南分行 |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 | 代理人 | 山东天岳晶体材料有限公司;山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 地址 | 250118 山东省济南市槐荫区美里湖美里路中段 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种新型的SiC生长坩埚平台，该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起，并将坩埚固定于两块石墨平台之间，当石墨受热膨胀时，由于螺栓的固定，石墨平台不会发生位置平移，从而保障了坩埚位置的稳定性。另外，在两块石墨平台相对的一侧，在每个石墨平台上设有一个半圆，两个半圆内侧设置有加热套，坩埚正好放置于该加热套内，使得坩埚受热均匀，避免了坩埚内由于局部过热而对产品造成影响，也避免了坩埚内由于局部受不到热，而对能源造成浪费。为了加速石墨及坩埚的温度降低，在石墨块和坩埚的地下设置冷水管，冷水管盘绕在石墨块底端，当需要冷却时，可以通入冷却水，水将热量带走，从而使得坩埚的温度迅速降下来。 |
