一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片
基本信息
| 申请号 | CN202011344467.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112466745B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN112466745B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄海林;冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人 | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘小勤 |
| 地址 | 361001福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔星路96号建业楼B座一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片，所述控制方法包括：将碳化硅衬底放入充满氢气的反应室，进行刻蚀；对反应室加热通入生长源，进行第一外延生长；停止通入氢气，将反应室内的剩余气体排出反应室，只向反应室通入惰性气体以置换剩余气体，同时降低反应室的压力为第一压力，在惰性气体通入过程中对外延生长控制参数进行调整；参数调整完毕后将反应室内的惰性气体置换为氢气，并升高反应室的压力至第二压力进行第二外延生长；降低温度并恢复到初始压力，获得碳化硅外延片。采用上述方法可以获得不同掺杂类型、不同掺杂浓度的连续P型外延层或N型外延层，同时可以减少了外延片表面凹坑的产生，提高外延片的质量。 |
