一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011420249.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112490117B | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN112490117B | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘杰;冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人 | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘小勤 |
| 地址 | 361001福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔星路96号建业楼B座一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，包括清洗衬底置于反应室内的小盘上；将反应室抽至真空，随后通入氢气，进行恒温刻蚀；采用线性缓变的方式在20～100s内改变反应室压力、温度，同时通入碳源、硅源，其中C/Si摩尔比由0渐变至0.80～1.10；采用线性缓变的方式在20～100s内改变碳源流量和硅源流量，保持C/Si摩尔比不变；采用线性缓变的方式20～100s内改变温度、压力、碳源流量以及硅源流量至目标条件进行外延薄膜生长直至目标厚度等。采用本发明所述提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，可以显著降低外延薄膜的外延薄膜的晶体缺陷，其工艺控制简洁，可操作性强，具有较好的运用前景。 |
