一种半导体掺杂层厚度无损检测方法
基本信息
| 申请号 | CN202110423512.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113140478A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113140478A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄海林;冯淦;赵建辉;钱卫宁;刘杰;梁瑞 | 申请（专利权）人 | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 代理机构 | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘小勤 |
| 地址 | 361001福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔星路96号建业楼B座一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种外延层厚度无损检测方法，包括：获得外延层的掺杂浓度；获得反向偏置电压值V：使用探针与外延层接触，形成肖特基结，并对肖特基结施加逐步增大的反向偏置电压，记录下电流出现明显变化时的反向偏置电压值V；根据公式进行计算，得到d值即为外延层厚度。本发明所述外延层厚度无损检测方法，对于厚度在5微米以下的外延层，厚度检测精度为0.01微米，且最小的检测厚度为0.1微米，极大促进了外延层检测技术的拓展和准确性，具有高精度、无损检测的优势。 |
