一种硅基单片红外像素传感器
基本信息
| 申请号 | CN201821551758.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208923139U | 公开（公告）日 | 2019-05-31 |
| 申请公布号 | CN208923139U | 申请公布日 | 2019-05-31 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪巍; 方青; 涂芝娟; 曾友宏; 蔡艳; 王庆; 王书晓; 余明斌 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘元霞 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种硅基单片红外像素传感器，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13采用锗锡(GeSn)材料，缓冲层12厚度0.5～2微米，还包括，兼作抗反射层的保护层15，以促进红外探测器13对红外光的吸收。根据本申请，红外探测器采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。 |
