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激光器与硅光芯片集成结构

基本信息

申请号	CN201821583235.8	申请日	-
公开（公告）号	CN209044108U	公开（公告）日	2019-06-28
申请公布号	CN209044108U	申请公布日	2019-06-28
分类号	G02B6/42（2006.01）I; G02B6/122（2006.01）I; H01S5/30（2006.01）I	分类	光学;
发明人	蔡艳; 余明斌	申请（专利权）人	上海新微科技服务有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟
地址	201800 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种激光器与硅光芯片集成结构，结构包括：激光器芯片，所述激光器芯片包括第一波导；硅光芯片，所述硅光芯片包括第二波导，所述第二波导及所述第一波导将所述激光器芯片发出的光耦合至所述硅光芯片内；所述第一波导包括依次一体连接的第一倒锥形波导部、矩形波导部及第二倒锥形波导部；所述第二波导包括第一氮化硅波导、第二氮化硅波导及硅波导；其中，所述第一氮化硅波导、所述第二氮化硅波导及所述硅波导均包括依次一体连接的第一倒锥形波导部、矩形波导部及第二倒锥形波导部。相比于现有技术中的端面耦合，本实用新型的耦合方式对倒装焊过程中的对准精度要求更低，即使在对准有误差的实际工艺条件下，仍然具有较高的耦合效率。