硅基光电探测器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | 2017103387927 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108878544B | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申请公布号 | CN108878544B | 申请公布日 | 2018-11-23 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 盛振;武爱民;仇超;赵瑛璇;高腾;甘甫烷;王曦 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种硅基光电探测器及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底表面制作出叉指型金属电极；2）于所述叉指型金属电极之上覆盖多晶硅层，并使得所述多晶硅层与所述叉指型金属电极形成肖特基接触；3）刻蚀所述多晶硅层，以形成露出叉指型金属电极的接触点的接触窗；4）基于所述接触窗制作接触点引出的金属焊盘。本发明采用多晶硅作为光敏层，而多晶硅置于叉指型金属电极之上，不会受限于金属电极对入射光的遮挡，从而显著提高了光电探测的量子效率。本发明制作工艺无需掺杂，大大简化了生产工艺及制造成本。本发明采用单面制作工艺，所制作的硅基光电探测器为平面型器件，具有电容小，响应速度快的优点。 |
