一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201821596246.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208923144U | 公开（公告）日 | 2019-05-31 |
| 申请公布号 | CN208923144U | 申请公布日 | 2019-05-31 |
| 分类号 | H01L29/161（2006.01）I; H01L29/778（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪巍; 方青; 涂芝娟; 曾友宏; 蔡艳; 王庆; 王书晓; 余明斌 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘元霞 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III‑V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述缓冲层厚度大于500nm。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。 |
