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一种大带宽硅基光调制器

基本信息

申请号 CN201611103311.6 申请日 -
公开（公告）号 CN108153001B 公开（公告）日 2021-04-27
申请公布号 CN108153001B 申请公布日 2021-04-27
分类号 G02F1/05 分类 光学;
发明人 武爱民;何兵;仇超;盛振;高腾;甘甫烷;王曦 申请（专利权）人 上海新微科技服务有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 罗泳文
地址 201800 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种大带宽硅基光调制器，包括：基底及其上的绝缘层；n型掺杂硅层，位于所述绝缘层之上；p型掺杂硅层，位于所述n型掺杂硅层之上；铁电薄膜，位于所述p型掺杂硅层之上；其中，所述n型掺杂硅层接地，所述p型掺杂硅层接控制信号，所述铁电薄膜接控制信号。本发明有效的将铁电薄膜与普通的硅基光调制器集成在一起，利用铁电薄膜极化时的场强，大幅度提升了光调制器中载流子浓度的变化范围及灵敏度，从而提升了光调制器的调制带宽。本发明可直接用于硅基光调制器，也可以用于马赫‑曾德尔型光调制器的两臂，后者可以进一步增大调制器的调制宽度。本发明结构简单，控制方便，工艺与CMOS兼容，很适合工业推广。