硅基光波导结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201710338188.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108873167A | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申请公布号 | CN108873167A | 申请公布日 | 2018-11-23 |
| 分类号 | G02B6/136 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 盛振;武爱民;仇超;赵瑛璇;高腾;甘甫烷;王曦 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种硅基光波导结构及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；2）刻蚀所述顶层硅以形成带状硅层；3）采用氧化工艺对所述带状硅层进行氧化，以形成二氧化硅层包覆的亚微米量级的硅波导芯层；所述硅波导芯层的折射率高于周围的二氧化硅层，使得光信号限制于硅波导芯层中传输，形成硅基光波导结构。本发明通过高温氧化的方式来减小硅波导芯层的线宽，达到亚微米尺度，从而避免使用昂贵的高精度步进式光刻设备；同时，采用的氧化工艺有助于减小硅波导侧壁的粗糙度，从而降低传输损耗。 |
