相移器及硅基电光调制器
基本信息
| 申请号 | CN201821583248.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208805639U | 公开（公告）日 | 2019-04-30 |
| 申请公布号 | CN208805639U | 申请公布日 | 2019-04-30 |
| 分类号 | G02F1/015（2006.01）I; G02F1/05（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 涂芝娟; 汪巍; 方青; 余明斌 | 申请（专利权）人 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢1048室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种相移器及硅基电光调制器，相移器包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层，与第一掺杂类型半导体层间隔排布；第一介质层，位于第一掺杂类型半导体与第二掺杂类型半导体层之间；第二介质层，位于第一介质层与第二掺杂类型半导体层之间；插入材料层，位于第一介质层与第二介质层之间，插入材料层在外部驱动电压的作用下产生负电容效应,插入材料层包括铁电材料层。本实用新型的相移器通过增设在外部驱动电压的作用下可以产生负电容效应的插入材料层，负电容效应可使得相移器内部电压得到放大，可以减小硅基电光调制器正常工作所需的外部驱动电压，大大提高硅基电光调制器的调制效率，降低硅基电光调制器的功耗。 |
