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光电二极管以及高速光耦

基本信息

申请号 CN201922461296.8 申请日 -
公开（公告）号 CN210956701U 公开（公告）日 2020-07-07
申请公布号 CN210956701U 申请公布日 2020-07-07
分类号 H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 王进;丁东民;周盛;张武安 申请（专利权）人 华润半导体（深圳）有限公司
代理机构 北京正理专利代理有限公司 代理人 张雪梅
地址 214135 江苏省无锡市新吴区无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开一种光电二极管，包括：第一导电类型的衬底；从衬底的表面延伸进入衬底中的第二导电类型的埋层；形成在埋层上的第二导电类型的外延层；从外延层远离衬底的表面延伸进入外延层中的第一导电类型的受光区；还包括：围绕受光区的第一导电类型的第一隔离环，其中，第一隔离环从外延层远离衬底的表面延伸进入外延层，以及围绕第一隔离环的第二导电类型的第二隔离环，其中，第二隔离环从外延层远离衬底的表面延伸进入外延层，其中，第一隔离环和所述第二隔离环的延伸深度大于受光区的延伸深度。本实用新型的第二方面提供了一种光电二极管的制作方法。本实用新型的第三方面提供了一种高速光耦。