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一种高温高可靠厚膜Al焊盘的制备方法

基本信息

申请号	CN202010772690.8	申请日	-
公开（公告）号	CN111863629B	公开（公告）日	2021-07-30
申请公布号	CN111863629B	申请公布日	2021-07-30
分类号	H01L21/48（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘欣;钱满满;刘军;王鹏;胡宗亮;孙玉达;崔久鹏;丁长春;赵秋山	申请（专利权）人	青岛智腾科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	266000山东省青岛市高新区名园路11号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种高温高可靠厚膜Al焊盘的制备方法，属于航天微电子封装技术领域，通过在厚膜金导带上原位生成Al焊盘，实现了Al‑Al的键合方式，将其应用在200～250℃的高温电路产品上也具有长期的可靠性；通过选择性的在金导带上印刷烧结一层5～8um厚的Ni过渡层，以及溅射形成的钛钨复合层相互配合起到阻挡层的作用，实现隔绝金和铝之间的互扩散；然后在TiW层的表面用磁控溅射的方式沉积一层3～5um的Al金属层，为厚膜电路的内引线互连提供Al‑Al的键合体系，可以消除Au‑Al键合产生的金属间化合物和柯肯达尔效应带来的不利影响，在200～250℃的高温环境下长期工作，依然可以提供有效地引线键合强度和导通电阻，实现了高温高可靠的产品应用。