一种射频离子源

基本信息

申请号 CN201920707277.6 申请日 -
公开(公告)号 CN209811889U 公开(公告)日 2019-12-20
申请公布号 CN209811889U 申请公布日 2019-12-20
分类号 B24B1/00(2006.01); B24B41/00(2006.01) 分类 磨削;抛光;
发明人 施春燕 申请(专利权)人 四川至臻精密光学有限公司
代理机构 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 苏州至臻精密光学有限公司
地址 215636 江苏省苏州市张家港市大新镇海坝路苏州至臻精密光学有限公司
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种结构紧凑、性能稳定的射频离子源,包括安装座,安装座上设有陶瓷底座,陶瓷底座上设有陶瓷放电腔,离子引束系统安装在陶瓷放电腔中并固定在陶瓷底座上,安装座上设有上安装架,上安装架中在陶瓷放电腔的外部套设有耦合天线线圈,上安装架上在耦合天线线圈上方设有约束磁场,约束磁场套住陶瓷放电腔上部,上安装架上在约束磁场上方设有中和器,安装座下部设有下安装架,安装座下部设有匹配网络,陶瓷放电腔开口处设有栅网,下安装架上设有两个通过线缆分别与耦合天线线圈及匹配网络连接的线缆接头,陶瓷放电腔中设有将等离子气体往外吹送的送气管。