IGBT功率模块端子压焊方法

基本信息

申请号 CN202011171638.3 申请日 -
公开(公告)号 CN112367772A 公开(公告)日 2021-02-12
申请公布号 CN112367772A 申请公布日 2021-02-12
分类号 H05K3/34(2006.01)I;H05K13/04(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 陶少勇;杨幸运;刘磊 申请(专利权)人 安徽瑞迪微电子有限公司
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 代理人 朱顺利
地址 241002安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种IGBT功率模块端子压焊方法,通过键合焊头吸附端子,键合焊头将端子转移至DBC基板上后,利用超声焊接的方式将端子与DBC基板进行焊接。本发明的IGBT功率模块端子压焊方法,可以节省人工操作的繁琐工序,避免人工过多接触端子与工装夹具的组装;端子焊接位置定位精准,通过键合焊头去定位焊点,有助于提高端子与DBC基板的焊接质量;焊接速度得到提升,不需要进行二次回流;无助焊剂的产生,不需要进行二次清洗步骤。