一种IGBT模块功率端子结构
基本信息
| 申请号 | CN202022958518.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213660384U | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN213660384U | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L23/055（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温世达;高远;曹新明 | 申请（专利权）人 | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱顺利 |
| 地址 | 241002安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT模块功率端子结构，包括N端子、层叠在N端子上的绝缘材料层和层叠在绝缘材料层上的P端子，N端子和P端子与母排电容为一体折弯成型。本实用新型的IGBT模块功率端子结构，将端子与母排结合为一个整体，并且均采取叠层结构，最大程度的降低了杂散电感。 |
