一种快恢复二极管
基本信息
| 申请号 | CN202110704234.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437158A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437158A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L29/868（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱辉;肖秀光;吕磊;潘恒 | 申请（专利权）人 | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱顺利 |
| 地址 | 241002安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种快恢复二极管，包括N型掺杂漂移区、重掺杂N型衬底区域以及位于N型掺杂漂移区与重掺杂N型衬底区域之间的N型掺杂缓冲层。N型掺杂缓冲层包括低掺杂电场缓冲层、电场终止层和反向恢复载流子存储层，低掺杂电场缓冲层与N型掺杂漂移区接触且低掺杂电场缓冲层的厚度较厚，低掺杂电场缓冲层的掺杂浓度高于N型掺杂漂移区的掺杂浓度；电场终止层位于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层之间，电场终止层的掺杂浓度高厚度薄，其掺杂浓度高于低掺杂电场缓冲层和反向恢复载流子存储层；反向恢复载流子存储层与所述重掺杂N型衬底区域接触，其浓度较低。本发明的快恢复二极管，可以降低器件在反向恢复时的过冲电压和软度影响。 |
