IGBT功率模块端子与裸铜基板的焊接工艺

基本信息

申请号 2020111747127 申请日 -
公开(公告)号 CN112271142A 公开(公告)日 2021-01-26
申请公布号 CN112271142A 申请公布日 2021-01-26
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陶少勇;杨幸运;刘磊 申请(专利权)人 安徽瑞迪微电子有限公司
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 代理人 朱顺利
地址 241002安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种GBT功率模块端子与裸铜基板的焊接工艺,包括步骤:S1、将端子放置在裸铜基板的上方,将端子焊接面与裸铜基板的焊接面相接触;S2、键合焊头将超声波能量施加到端子和裸铜基板上,使端子与裸铜基板进行焊接。端子包括第一连接部、第二连接部和焊接部,第一连接部具有第一背面,第二连接部具有第二背面,第一背面与第二背面相连接且第一背面与第二背面之间的夹角为80‑90°,焊接部的宽度为第二连接部的宽度的1.5‑2倍,焊接部与裸铜基板焊接。本发明的GBT功率模块端子与裸铜基板的焊接工艺,使端子的焊接受力点内弯80‑90°,可以在超声焊接过程中减少对焊接面的拉拽力。