IGBT模块功率端子结构
基本信息
| 申请号 | CN202022958510.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213660391U | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN213660391U | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L23/48（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 温世达;高远;曹新明 | 申请（专利权）人 | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱顺利 |
| 地址 | 241002安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT模块功率端子结构，包括N端子导电金属、P端子导电金属、包裹N端子导电金属的第一绝缘材料层和包裹P端子导电金属且与第一绝缘材料层相接触的第二绝缘材料层，N端子导电金属具有与母排接触的第一接触面，P端子导电金属具有与母排接触的第二接触面，第一接触面从第一绝缘材料层中露出，第二接触面从第二绝缘材料层中露出。本实用新型的IGBT模块功率端子结构，极大降低了端子与母排连接结构处的回路面积，因此也降低了回路的杂散电感。 |
