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花型银纳米颗粒荧光增强基底及其制备方法

基本信息

申请号	CN201510528946.X	申请日	-
公开（公告）号	CN105136757A	公开（公告）日	2015-12-09
申请公布号	CN105136757A	申请公布日	2015-12-09
分类号	G01N21/64(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	徐红星;梁红艳;石俊俊;张大霄	申请（专利权）人	武汉奥旷精密仪器有限公司
代理机构	武汉开元知识产权代理有限公司	代理人	陈家安
地址	430206 湖北省武汉市洪山区东湖新技术开发区高新大道818号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种花型银纳米颗粒荧光增强基底及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有花型银纳米颗粒层，所述花型银纳米颗粒层为若干个花型银纳米颗粒组成的亚单层结构。所述花型银纳米颗粒层是覆盖率为40％—80％的亚单层结构。其中，所述花型银纳米颗粒粒径为0.5-3μm,则单个所述花型银纳米颗粒表面具有粗糙度5-300nm的纳米级粗糙。通过硝酸酸银溶液、聚乙烯吡咯烷酮和抗坏血酸反应，将反应物反复超神分散和离心得到花型银纳米颗粒乙醇分散液，以制造基底。利用花型银纳米颗粒表面的纳米级粗糙结构对分子发射的荧光信号进行放大，放大倍数在10-100倍，同时由于不需要额外的操作来进行放大，该技术也较传统技术便利、简单。