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一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法

基本信息

申请号 CN201510400519.3 申请日 -
公开（公告）号 CN105019024B 公开（公告）日 2018-02-06
申请公布号 CN105019024B 申请公布日 2018-02-06
分类号 C30B29/30;C30B15/20 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 桑元华;康学良;梁龙跃;郭岱东;赵莉莉;乔永军;翟仲军;刘宏 申请（专利权）人 山东华特知新材料有限公司
代理机构 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 山东大学;山东华特知新材料有限公司
地址 250061 山东省济南市历城区山大南路27号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，包括对晶体生长炉温场装置结构的改进，以实现对温度梯度变化的机械控制，并在晶体生长不同阶段，通过改变温场顶部保温罩的保温效果，实现垂直于籽晶杆轴线方向上的温度梯度变化，用于满足晶体生长过程中缩颈和放肩所需的较大温度梯度的要求，以及晶体等径生长所需的较小温度梯度的要求，从而实现高品质的近化学计量比晶体的生长。本发明方法也用于其他类型的晶体生长可变温度梯度的温场控制上，并可实现计算机自动程序控制管理，避免人工操作的误差，确保对钽酸锂、铌酸锂等晶体生长质量的要求，具有良好的应用前景。