一种GTR-KTP晶体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310389390.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103451731B | 公开（公告）日 | 2015-09-09 |
| 申请公布号 | CN103451731B | 申请公布日 | 2015-09-09 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 乔永军;冯彧;翟仲军;李杰;逄洪雷;李勇;董胜明 | 申请（专利权）人 | 山东华特知新材料有限公司 |
| 代理机构 | 济南圣达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 山东华特知新材料有限公司 |
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区颖秀路608号山大科技园6号楼三层北区3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种GTR-KTP晶体的制备方法，先制备KH2PO4晶体料，然后在超环境下分段加热形成均匀稳定的高温溶液，采用顶端与提拉相结合的方法生长的GTR-KTP晶体，本发明制备的KTP晶体，降低了KTP晶体的吸收系数，能有效的抵抗灰迹产生，使KTP晶体的倍频转换效率得到显著增强。在测试的1000秒时间内，是用100mw、532nm绿光照射GTR-KTP晶体，系统吸收基本保持稳定，显示了其良好的抗灰迹效果。 |
