一种能有效抗灰迹的KTP晶体的制备方法

基本信息

申请号 CN201010171911.2 申请日 -
公开(公告)号 CN102242389A 公开(公告)日 2011-11-16
申请公布号 CN102242389A 申请公布日 2011-11-16
分类号 C30B9/08(2006.01)I;C30B29/14(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 董胜明;冯彧;翟仲军;严振华;李杰;刘萌 申请(专利权)人 山东华特知新材料有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 250101 山东省济南市高新区颖秀路608号山大科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种能有效抗灰迹的KTP晶体的制备方法,步骤如下1)采用顶端籽晶+提拉的方法,缓慢降温,稍高一点提速;2)提高熔质浓度,提高其实生长温度;3)溶剂组成提高;4)用[100]方向籽晶,单生长区;5)添加PbO,起始生长温度~1007℃,降温78℃,0.5~3℃/天,45天,拉速0.1~0.9mm/天,正反转动60~20rpm。本发明采用采用顶端籽晶+提拉的方法来制备KTP晶体,降低了KTP晶体的吸收系数,能有效的抵抗灰迹产生,使KTP晶体的倍频转换效率得到增强。