一种能有效抗灰迹的KTP晶体的制备方法
基本信息
申请号 | CN201010171911.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102242389A | 公开(公告)日 | 2011-11-16 |
申请公布号 | CN102242389A | 申请公布日 | 2011-11-16 |
分类号 | C30B9/08(2006.01)I;C30B29/14(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 董胜明;冯彧;翟仲军;严振华;李杰;刘萌 | 申请(专利权)人 | 山东华特知新材料有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 250101 山东省济南市高新区颖秀路608号山大科技园 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种能有效抗灰迹的KTP晶体的制备方法,步骤如下1)采用顶端籽晶+提拉的方法,缓慢降温,稍高一点提速;2)提高熔质浓度,提高其实生长温度;3)溶剂组成提高;4)用[100]方向籽晶,单生长区;5)添加PbO,起始生长温度~1007℃,降温78℃,0.5~3℃/天,45天,拉速0.1~0.9mm/天,正反转动60~20rpm。本发明采用采用顶端籽晶+提拉的方法来制备KTP晶体,降低了KTP晶体的吸收系数,能有效的抵抗灰迹产生,使KTP晶体的倍频转换效率得到增强。 |
