带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET
基本信息
申请号 | CN202021831014.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN213366599U | 公开(公告)日 | 2021-06-04 |
申请公布号 | CN213366599U | 申请公布日 | 2021-06-04 |
分类号 | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张梓豪;黄兴;陈欣璐 | 申请(专利权)人 | 派恩杰半导体(杭州)有限公司 |
代理机构 | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 董世博 |
地址 | 310000 浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET,包括:碳化硅衬底;碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层;所述碳化硅衬底背面覆盖的漏极金属电极;所述碳化硅外延层上刻蚀的沟槽,在所述沟槽表面生长有的氧化层,氧化层上设有的栅极金属电极;在碳化硅外延层上设有的源极注入区;所述源极注入区上覆盖有的源极金属电极;在碳化硅外延层上还设有的多个注入区,其中包括阻断注入区,保护注入区和改善注入区,所述阻断注入区的掺杂类型为第二导电类型,所述改善注入区的掺杂类型为第一导电类型,所述保护注入区为重掺杂的第二导电类型,所述阻断注入区与源极注入区相邻且设置在栅极和漏极之间,所述保护注入区设置在栅极金属电极下方。 |
