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一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法

基本信息

申请号	CN202110845340.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113699488A	公开（公告）日	2021-11-26
申请公布号	CN113699488A	申请公布日	2021-11-26
分类号	C23C14/24（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C8/12（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;H01S5/028（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	赵军;游顺青;陈锋	申请（专利权）人	湖北光安伦芯片有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	吴静
地址	436000湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9幢5单元
法律状态	-

摘要

本发明属于半导体激光器端面镀膜技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法，包括如下步骤：1）对待镀膜的芯片进行Bar条解理，夹条，并快速放进蒸发镀膜设备内，抽真空；2）对芯片的出光腔面进行离子源预清洗处理；3）在芯片的出光腔面上镀高增透膜系，高增透膜系至少包括第一Al层和第一AlOX层；具体是先镀Al层，然后利用离子源通入O2进行氧化处理；4）对芯片的背光腔面进行离子源预清洗处理；5）在芯片的背光腔面上镀高反膜系，反膜系至少包括第二Al层和第二AlOX层；先镀Al层，然后利用离子源通入O2进行氧化处理。本发明在芯片前后腔面镀Al层并进行部分氧化，达到保护激光半导体腔面的效果，进而避免腔面因氧化造成的可靠性问题。