一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110826665.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113708214A	公开（公告）日	2021-11-26
申请公布号	CN113708214A	申请公布日	2021-11-26
分类号	H01S5/10（2021.01）I;H01S5/183（2006.01）I;H01S5/34（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	程成	申请（专利权）人	湖北光安伦芯片有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	代婵
地址	436000湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9幢5单元
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种基于选区外延技术的双波长VCSEL结构及其制备方法，该双波长VCSEL结构通过在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、N型布拉格反射镜层作为初始外延片；在所述初始外延片上采用选区外延技术依次外延量子阱、过渡P型布拉格反射镜层、P型GaAs光栅制备层，选区外延技术改变量子阱材料带隙波长，实现VCSEL双波长激射，针对不同带隙波长区域制备台面，台面制备完成后进行氧化工艺；并利用电子束曝光技术，分别针对两种不同带隙波长量子阱在P型GaAs光栅制备层上制备高对比度光栅（HCG），形成高反射率反射镜代替传统的P型DBR结构，不但避免了选区外延多层DBR结构，降低了外延难度，而且可以针对不同激射波长灵活设计反射率，提高了工艺灵活性及可行性。