非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110871419.4	申请日	-
公开（公告）号	CN113839304A	公开（公告）日	2021-12-24
申请公布号	CN113839304A	申请公布日	2021-12-24
分类号	H01S5/183（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B1/00（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	程成	申请（专利权）人	湖北光安伦芯片有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	徐俊伟
地址	436000湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9幢5单元
法律状态	-

摘要

本发明涉及激光器技术领域，提供了一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构的制备方法，包括如下步骤：S1，制作外延片；S2，在所述外延片上制备SiO2掩膜，并对其进行刻蚀得到具有若干微米柱的基材；S3，于所述基材的表面继续生长SiO2掩膜，作为微米柱的基材的钝化保护层；S4，在具有钝化保护层的所述基材上旋涂BCB，并进行BCB光刻、显影以及固化，使所述BCB作为所述基材的相邻的所述微米柱之间的间隙中的填充材料；S5，接着制备电极，以完成VCSEL结构的制备。还提供一种非氧化工艺微米柱阵列大功率VCSEL结构。本发明的微米级VCSEL尺度电流限制能力强，使VCSEL阈值极低并提高了光电转换效率；不含氧化层的非氧化工艺，有效降低了VCSEL热阻，提高了输出功率。