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一种高速DFB芯片中含铝材料的高温ICP刻蚀方法

基本信息

申请号	CN201910973107.7	申请日	-
公开（公告）号	CN110808533B	公开（公告）日	2022-01-21
申请公布号	CN110808533B	申请公布日	2022-01-21
分类号	H01S5/12（2021.01）I;H01S5/22（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李紫谦;张恩;赵亮;葛婷	申请（专利权）人	湖北光安伦芯片有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	代婵
地址	436000 湖北省鄂州市葛店开发区高新三路光谷联合科技城第C9栋5单元
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种高速DFB芯片中含铝材料的高温ICP刻蚀方法，其包括以下步骤：（1）对已含有光栅图形并且经过金属有机化学气相外延掩埋生长的片源进行表面清洗；（2）将经过表面清洗后的片源放入PECVD中生长掩膜层；（3）对有掩膜层的片源在光刻间匀胶后进行脊图形光刻；（4）利用反应离子刻蚀设备（RIE）将经过曝光、显影后的光刻胶图形转移到掩膜层上；（5）去除RIE刻蚀后片源表面的光刻胶；（6）将含有掩膜层图形的片源放入已升温至预定温度的ICP刻蚀机台中干法刻蚀。本发明提供的高温ICP刻蚀含铝材料的方法，刻蚀后表面聚合物少，且刻蚀形貌光滑无凸起，解决了含铝材料在刻蚀过程中，刻蚀速率慢，刻蚀形貌难以控制的问题，从而确保BH结构高速激光器芯片的PN掩埋工艺正常。