一种氧化退火方法
基本信息
| 申请号 | CN202110689226.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113421820A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113421820A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱泽中;张超;王成森 | 申请（专利权）人 | 捷捷半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 荣颖佳 |
| 地址 | 226000江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区井冈山路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种氧化退火方法，涉及半导体退火工艺技术领域。首先将待处理晶片在低温下置于反应炉内；然后通入氧气，将反应炉内的温度升高至阈值温度并维持第一预设时间；最后将反应炉内的温度按小于或等于1℃/min的速率进行降温，直至反应炉内的温度恢复至低温，以在氧化退火过程中使待处理晶片的内部缺陷析出至表面。本申请提供的氧化退火方法具有能够修复晶圆内的晶格缺陷，提升晶片应力的优点。 |
