硅基压电薄膜体声波谐振器
基本信息
| 申请号 | CN202022742166.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213879775U | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN213879775U | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H03H3/007（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H3/04（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I;H03H9/19（2006.01）I;H01L41/08（2006.01）I;H01L41/22（2013.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 高安明;姜伟;刘伟 | 申请（专利权）人 | 浙江信唐智芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 李佳俊;郭国中 |
| 地址 | 325038 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室（自主申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种硅基压电薄膜体声波谐振器，包括：电极、氮化铝压电薄膜层（3）以及绝缘体上硅（SOI）；所述电极包括：顶电极（1）；所述氮化铝压电薄膜层（3）以及绝缘体上硅（SOI）设置于顶电极（1）的下方；所述绝缘体上硅包括：单晶硅顶层（4）、绝缘二氧化硅中间层（5）、硅衬底层；所述硅衬底层的厚度大于设定阈值；所述绝缘二氧化硅中间层（5）的厚度小于设定阈值；所述单晶硅顶层（4）的厚度大于绝缘二氧化硅中间层（5）；所述单晶硅顶层（4）的厚度小于硅衬底层；本专利所提出的硅基压电薄膜结构结合了上述两类谐振器的优点，从而方便设计出同时具有高Q值和低动生阻抗的谐振器。 |
