可抑制杂散模的射频声波谐振器
基本信息
| 申请号 | CN202022742123.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213846632U | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN213846632U | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H03H9/17（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 高安明;姜伟;刘伟 | 申请（专利权）人 | 浙江信唐智芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 李佳俊;郭国中 |
| 地址 | 325038 浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室（自主申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种可抑制杂散模的射频声波谐振器，包括：电极、压电薄膜（2）以及硅衬底（4）；所述电极包括：顶电极（1）、底电极（3）；所述顶电极（1）设置于压电薄膜（2）的上侧；所述底电极（3）设置于压电薄膜（2）的下侧；所述硅衬底（4）设置于底电极（3）的下侧；所述可抑制杂散模的射频声波谐振器采用以下任意一种结构：‑硅反面刻蚀结构；‑空隙结构；‑布拉格反射层结构。本实用新型通过采用各边不平行的顶电极形状，解决了常规顶电极容易激发寄生杂散模的问题，使得谐振器的谐振曲线趋于平坦，优化谐振器的性能。 |
