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一种准芯片功率放大器

基本信息

申请号 CN201711485748.5 申请日 -
公开（公告）号 CN109995338A 公开（公告）日 2019-07-09
申请公布号 CN109995338A 申请公布日 2019-07-09
分类号 H03F3/21 分类 基本电子电路;
发明人 赵士勇;邓攀;罗孝均;朱世贵;胡强;李松林;侯堃 申请（专利权）人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
代理机构 成都泰合道知识产权代理有限公司 代理人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
地址 610000 四川省成都市高新区天虹路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及电子通信领域，具体涉及一种级联型准芯片功率放大器，其提供一种准芯片功率放大器，包括输入匹配电路与栅极偏置电路的组合模块、放大器管芯以及输出匹配电路与漏极偏置电路的组合模块，输入匹配电路与栅极偏置电路的组合模块连接到所述放大器管芯的栅极，所述放大器管芯的漏极连接到输出匹配电路与漏极偏置电路的组合模块；所述放大器管芯用于对输入信号进行放大；所述偏置电路用于对射频信号进行扼流并为放大器管芯提供栅极电压。一方面采用砷化镓材料在节约成本的同时，有利于放大器小型化。另一方面采用氮化镓材料制作有源功率放大器管芯，满足功率放大器对材料的高频、大功率和高热导率要求。