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一种有源偏置集成电路宽带低噪声放大器

基本信息

申请号 CN202010551797.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111525895A 公开（公告）日 2020-08-11
申请公布号 CN111525895A 申请公布日 2020-08-11
分类号 H03F1/26(2006.01)I 分类 -
发明人 李怀明;朱世贵 申请（专利权）人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
代理机构 成都正华专利代理事务所（普通合伙） 代理人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
地址 611731四川省成都市高新西区天虹路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种有源偏置集成电路宽带低噪声放大器，该放大器包括PHEMT放大管芯、源极匹配电路、有源偏置电路、输入匹配电路、输出匹配电路和负反馈电路，PHEMT放大管芯FET1、源极匹配电路和有源偏置电路集成在GaAs芯片上，输入匹配电路、输出匹配电路和负反馈电路由分立器件构成。本发明既可以很好地解决在高低温下放大管参数波动的问题，同时片上有源偏置结构体积远小于混合集成的BJT晶体管，更有利于减小体积、提高产品一致性、降低成本；本发明的放大器具有批量一致性好、体积小、成本低廉、灵活度高、噪声低、工作频段宽以及易于集成使用的优点，进而使得其在组件和微系统中应用更为灵活，使用更为方便。