首页/ 成都华光瑞芯微电子股份有限公司/ 专利详情

有源偏置达林顿结构放大器

基本信息

申请号 CN201721899821.9 申请日 -
公开（公告）号 CN207869070U 公开（公告）日 2018-09-14
申请公布号 CN207869070U 申请公布日 2018-09-14
分类号 H03F1/42;H03F1/34;H03F1/30 分类 基本电子电路;
发明人 罗孝均;邓攀;朱世贵;胡强;侯堃 申请（专利权）人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
代理机构 成都泰合道知识产权代理有限公司 代理人 成都华光瑞芯微电子股份有限公司
地址 610000 四川省成都市高新区天虹路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及电子通信领域，具体涉及一种有源偏置达林顿结构放大器，其提供一种有源偏置达林顿结构放大器，包括有源偏置电路、放大电路和耦合电路；所述有源偏置电路用于增强放大电路的电流稳定性；所述放大电路用于对电路输入信号进行放大；所述耦合电路用于隔断外部电压；所述有源偏置电路、放大电路以及耦合电路电连接。本实用新型采用有源偏置达林顿结构放大器，使放大管电流稳定性增强，有效抵御高低温下的电流变化，从而保证电路在宽温度范围内的稳定工作，有效减小放大器的噪声并拓宽放大增益带宽。